浪涌rcd吸收电路原理（浪涌吸收器的功能）

IGBT的RCD缓冲电路各元件参数选择?

为了防止电源通断时电路中的浪涌电压，我们需要在Ua、Ub和Uc任两相之间添加进线阻容缓冲吸收电路，它们阻值的大小可以不考虑装置的设计容量，根据经验选取。一般选取的是1uF/1000v电容和20Ω/50W电阻（220V输入装置中）。

解决方法是在选取IGBT时进行降额设计；也可在检测m过压时分断IGBT的输入，IGBT的安全。目前，针对浪涌尖 峰电压采取的措施有： (1)在工作电流较大时，为减小关断过电压，应尽量使主电路的布线电感降到最小； (2)设置如图7所示的RCD缓冲电路吸收保护网络，增加的缓冲二极管使缓冲电阻增大，避免导通时IGBT功能受阻的问题。

)缓冲电路几种用于IGBT桥臂的典型缓冲电路。

IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。

高速光耦资料

光电耦合器，简称光耦，是开关电源电路中的重要组件，主要分为非线性光耦和线性光耦两种类型。其中，非线性光耦以4N系列为代表，它们的电流传输特性曲线是非线性的，适用于开关信号的传输，但不适合传输模拟量信号。相比之下，线性光耦如PC817A-C系列则表现出更佳的性能。

6N135至6N139型号则属于高速光耦晶体管输出，适用于需要快速传输信号的场景。MOC3020至MOC3081系列是可控硅驱动输出，特别适合于需要精确控制电流的场合。 TLP521系列包括单光耦（TLP521-1），双光耦（TLP521-2）和四光耦（TLP521-4），提供了不同的耦合通道数。

高速光耦主要有以下几种：ACPL系列光耦、HCPL系列光耦以及TLP系列光耦。ACPL系列光耦是高速光电耦合器中的一种重要类型。它具有高传输速率、低延时、低功耗等特点，广泛应用于通信、计算机等领域。特别是在数字电路中，ACPL系列光耦能够有效地隔离输入和输出信号，提高系统的抗干扰能力。

常用的4N系列光耦属于非线性光耦常用的线性光耦是PC817A—C系列。非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于开关信号的传输，不适合于传输模拟量。线性光耦的电流传输特性曲线接近直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。开关电源中常用的光耦是线性光耦。

魔改快充,搭载小米深度定制芯片,红米67W充电器拆解报告

通过对比可以看到，Redmi 67W充电器的体积仅相当于苹果原装61W充电器的三分之二左右，体积更加小巧便携。 这款充电器在搭配原装充电线的情况下，使用ChargerLAB POWER-Z KT002检测快充协议，显示支持QC0、QC0、PD0三种快充协议。

配备了 67W 有线快充，并且标配 67W 快充套装。包装盒内附带了一个支持 67W 快充的大功率充电器。值得一提的是这款充电器和小米 11 Pro、小米 11 Ultra 以及小米 MIX FOLD 折叠屏手机“标配”的充电器是同款。充电器采用单 USB-A 物理输出接口，熟悉的魔改配方，橙色的内舌符合快充的特征。

小米67瓦充电配6A电源线。67w搭配原装魔改线的结果，因为在搭配原装魔改线的情况下，可以做到最高65w的pd快充。否则只能支持到qc0。 67w充电头搭配原装6a线充11u的时候，使用的是9v6a，录得最大功率在55w左右。

红米k50充电器67W。红米k50电池采用锂聚合物电池，5500mAh，采用67W有线快充。红米K50，单电芯设计，采用了极耳中置（MMT）工艺。红米K50的电池充放电过程中，极耳是电流通过的水管，采用中置设计可以简化电流传输路径，降低电池内阻，提高充电功率。

cvcf系统逆变器是怎么样的逆变器

CVCF，是英文词组Constant Voltage and Constant Frequency的缩写，意为“恒电压、恒频率”。CVCF控制的逆变器为恒压恒频电源，配合蓄电池可以构成不间断电源(Uninterruptible Power Supply—UPS)或应急电源(Emergency Power Supply—EPS)，防止突然断电。这在办公自动化、IT、通信业都用得比较多。

对于由接触网电压的波动而造成的输出欠压，逆变器可以不停止工作，而是采取降频降压的方式，即当输人电压低于540 V时，逆变器按照Y/F=C(常数)的规律降频降压工作。

VVVF和CVCF都用于控制逆变器电路，但应用不同。VVVF控制的逆变器连接电机，通过同时改变频率和电压，达到磁通恒定（可以用反电势/频率近似表征）和控制电机转速（和频率成正比）的目的，所以多应用在变频器中，属于工业自动化领域。

就是英文CVCF 模式“Constant Voltage and Constant Frequency (恒压恒频)”。如果选择CVCF模式的话，当输入电源的频率在46Hz到54Hz的范围时，输出频率会固定为50Hz；逆变器电压会固定在额定值。

改变电源电压调速，这种方法主要应用于笼型异步电动机，靠改变转差率s调速。过去都采用定子绕组串电抗器来实现，目前已广泛采用晶闸管交流调压线路来实现。2．转子串电阻调速 绕线转子异步电动机转子串电阻的机械特性如图2所示。转子串电阻时最大转矩不变，临界转差率加大。

交直交变频器比较常见，由整流器、滤波系统和逆变器三部分组成。整流器为二极管三相桥式不控整流器或大功率晶体管组成的全控整流器，逆变器是大功率晶体管组成的三相桥式电路，其作用正好与整流器相反，它是将恒定的直流电交换为可调电压，可调频率的交流电。

单端反激电源的RCD钳位电路吸收设计

1、总结，RCD钳位电路的设计是一个精细的平衡过程，每个参数的选取都对反激电源的性能至关重要。通过精确计算和实际验证，我们可以优化这个电路，使之成为反激电源设计中的关键保护措施。

2、1/2(Lleak*Ipeak^2*(Vsnub/(Vsnub-N*Vout))) 是能量单位J 焦耳，计算功率P还应再乘以工作频率F（Hz）。 钳位电压一般选择为反射电压的4倍左右，这样的综合损耗通常最低。

3、rcd吸收电路设计 测量主变压器的初级漏感电感量Lr 这两种钳位电路均是为了吸收漏感的能量以降低主开关管的电压应力，既然是吸收漏感的能量，显然我们要知道变压器的漏感能量有多大。然而，需要知道漏感能量有多大，需要知道漏感多大，因此第一步我们就要测量变压器的漏感Lr。

4、在设计连载中，如RCD吸收电路，对反激变换器的EMI和MOS应力控制至关重要。对于小于75W的设备，优化设计显得尤为关键。反激变换器如FLYback Converter，尽管在低功率场合常见，但其输出纹波和工作范围限制了其在高要求场合的应用。

5、首先说明下RCD吸收电路和RCD钳位电路形式一样但是参数相差很大。RCD吸收的时间常数基于占空比和开关频率（即每个周期的关断时间）。RCD要求在开通前电容电压复位。公式不太好编辑理解了自己推一下。

6、掌握双管正激的关键在于理解其驱动方式，通常需要驱动芯片。RCD钳位简单但效率不高，通过调整电阻值可以改变占空比，即使大于0.5。RCD钳位在对效率要求不高的场合实用，其原理与反激变换器中的钳位类似。有源钳位，即利用有源器件如晶体管来实现钳位，虽然电路简单，但控制要求高。

通用变频器的IGBT中的影响因素

高负载电流：当变频器承受超过其额定电流的负载时，IGBT可能会过热。这可能是因为系统设计不合理，或者是由于过载或故障引起的。 不合适的散热：不足的散热或不适当的散热设计会导致IGBT过热。IGBT通常需要适当的散热系统来将产生的热量散发出去。

变频器IGBT过热一般是因为过流故障。变频器IGBT过热主要原因有起动加速时间太短、负载突然增大、变频器输出短路、负荷分配不均匀、变频器与电机容量不匹配、内部整流侧或逆变侧元件损坏、电源缺相、输出断线、电机内部故障及接地故障等。

影响判断时间的主要因素有：环境温度。环境温度高，将延长IGBT管的判断时间，使同一桥臂的上、下两管在交替导通过程中的死区变窄，甚至导致直通。这就是在夏天，模块烧坏的故障率偏高的原因。变频器的输出电流过大。变频器的输出电流大，也会延长IGBT管的关断时间，导致直通。

IGBT单元将承受直流母线的高电压大电流，瞬时形成雪崩效应，大电流产生电弧，高温迅速烧融IGBT模块内部管结，令模块外壳破裂。虽然变频器驱动设计有软关断保护电路，而往往仅能保护模块不至于产生更严重的炸裂，而发生短路的回路通常都会损坏。所以变频器在使用过程中需防止震动和输出短路。

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